（来源：价值目录）

　　高盛7月24日主持完一场中国存储专家电话会，第二天凌晨就把要点扔了出来，标题直接写"Buy China SPE"。

　　高盛7月25日凌晨发布的专家电话会纪要

　　电话会名义上聊了三件事——产能、产品、价格，但通篇读完你会发现，高盛真正想推的既不是存储厂，也不是模组厂，而是卖铲子的中国半导体设备商。

　　逻辑简单粗暴：不管国产DRAM最后能不能追上海力士，扩产这件事本身是确定的，而每一座新厂打桩之前，设备得先进场。

　　存储价格涨不涨，决定的是存储厂的利润表；产能建不建，决定的是设备商的订单簿。高盛这次押的是后者。

　　要点如下：

　　1）产能：2030年翻倍，这次不是画饼

　　专家对本土DRAM厂未来几年的扩产态度相当积极，原话是行业龙头的年产能到2030年有望比现在翻一倍还多。

　　节奏也排得很具体：合肥、上海、北京三地的扩产项目，到2028年会全部满产运转；2028年之后，还有一个"超级大基地"（mega site）开始接力贡献产能。

　　换句话说，这条扩产曲线一路排到2030年都看不到头。站长觉得更值得咂摸的是另一个细节：专家说新产能不只采购国际一线设备，国产设备同样在被采用，有些工厂除了光刻机这类尖端设备之外，主力已经是国产货。光刻机还得看ASML的脸色，但刻蚀、薄膜、清洗这些环节，国产替代早就不是PPT里的词了。

　　2）产品：HBM3是2026年的硬指标，3D DRAM走"曲线救国"

　　先说差距，专家没避讳：本土龙头的DRAM产品和全球一线比还是落后，比如速度慢一些。但工艺升级在带动产品迭代，比起去年又有新进展。2026年的目标是实现HBM3和HBM3E的量产。

　　问题卡在设备上——EUV买不到，怎么办？

　　专家的判断是，本土厂商会用DUV（深紫外光刻）加上创新工艺路线去冲击高端产品，典型代表就是3D DRAM。既然平面微缩的路被堵住了，那就往三维方向堆。

　　专家认为3D DRAM在2027年能看到产品开发上的新突破。

　　这条路能不能彻底走通还要观察，但"没有EUV就玩不了高端"这个假设，正在被破坏的路上。

　　3）价格：涨得慢了，但方向没变

　　价格部分有几个信息挺耐嚼。

　　第一，专家说本土供应商的DRAM定价已经和全球一线在同一水平，尽管良率可能还低一些——良率更低还能卖一样的价，要么是下游愿意给国产货溢价空间，要么是本土供需确实紧。

　　第二，节奏上，3Q/4Q26的价格涨幅会比上半年收窄，原因是手机品牌厂开始对成本上涨"反抗"了，下游也不是无限接盘的冤大头。但别急着看空：AI需求无论国内还是海外都还很猛，专家预计2027年存储价格将继续上涨。另外还有两点值得记下：

　　一线大厂短期内不会把HBM产能转回普通DRAM，AI这碗饭太香，舍不得放；存储厂和客户之间的长期合约越来越多，这对价格稳定是好事。

　　一句话，涨价放缓和涨价结束是两回事，别搞混了。

　　4）高盛真正的落点：买设备，不是买存储

　　绕了一大圈，报告的实际建议就浓缩成四个字：Buy China SPE。

　　点名的名单是北方华创（Naura）、中微公司（AMEC）、盛美上海（ACMR）、Kematek。

　　逻辑链条很清楚：本土晶圆厂和存储厂未来几年持续扩产，同时国产设备的采用率不断提升，设备商两头都占。

　　这也是为什么高盛跟踪中国半导体自主化这个主题，从2023年的自给自足、2024年的加速动能，一路写到了2025年的资本开支与迁移——这篇存储专家纪要，不过是这条长线上最新的一颗钉子。

　　总结

　　站长读完全文，一句话概括：存储的故事讲给情绪听，设备的故事讲给订单听。国产DRAM能不能追上三星海力士，那是三年后才有答案的事；但合肥、上海、北京的工地今天就在打桩，而打桩之前，设备得先进场。

　　文本参考研报：

　　《高盛-中国存储：专家电话会议要点：产能、产品、价格；买入中国半导体自主化板块-China Memory：Expert call takeaways：Capacity,Product,Price;Buy China SPE-20260725【6页】》